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真空計(jì)原理
真空計(jì)種類：波爾登、熱電偶、電阻、冷陰極、熱陰極等等
半導(dǎo)體制造主要設(shè)備及工藝
半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工過(guò)程主要包括晶圓制造、封裝、測(cè)試。
全球半導(dǎo)體材料現(xiàn)狀，中國(guó)什么水平？
半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的材料。
離子源原理
離子源是使中性原子或分子電離，并從中引出離子束流的裝置。
半導(dǎo)體材料解讀
半導(dǎo)體晶體可分為單晶和多晶，若在整塊材料中，原子都是規(guī)則的、周期性的重復(fù)排列的，一種結(jié)構(gòu)貫穿整體，這樣的晶體稱為單晶，如石英單晶，硅單晶，巖鹽單晶等。
真空鍍膜機(jī)的配置
鍍膜機(jī)相關(guān)組成及各部件：機(jī)械泵、增壓泵、油擴(kuò)散泵、冷凝泵、真空測(cè)量系統(tǒng).
電子槍蒸發(fā)鍍膜技術(shù)
在高真空下，電子槍燈絲加熱后發(fā)射熱電子，被加速陽(yáng)極加速，獲得很大的動(dòng)能轟擊到的蒸發(fā)材料上
Residual Gas Analyzer 介紹
殘余氣體分析儀(RGA)是一種質(zhì)譜儀，可幫助確定殘留在不完全真空室中的物質(zhì)的組成。
氣體質(zhì)量流量控制器
質(zhì)量流量控制器, 即Mass Flow Controller（縮寫(xiě)為MFC）, 不但具有質(zhì)量流量計(jì)的功能，更重要的是，它能自動(dòng)控制氣體流量，即用戶可根據(jù)需要進(jìn)行流量設(shè)定
真空鍍膜技術(shù)簡(jiǎn)介
真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面，它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ)，利用物理或化學(xué)方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術(shù)，為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。
PVD真空鍍膜技術(shù)
在真空度較高的環(huán)境下，通過(guò)加熱或高能粒子轟擊的方法使源材料逸出沉積物質(zhì)粒子（可以是原子、分子或離子），這些粒子在基片上沉積形成薄膜的技術(shù)。
AMOLED蒸鍍?cè)O(shè)備中的鍍膜技術(shù)應(yīng)用解析
相對(duì)于 LCD 來(lái)說(shuō), OLED具有自發(fā)光、不需背光 源、對(duì)比度高、厚度薄、質(zhì)量輕、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡(jiǎn)單 等優(yōu)異特性, 被認(rèn)為是下一代平面顯示器件的重點(diǎn)發(fā)展方向之一, 因此受到越來(lái)越多人的關(guān)注。
化學(xué)氣相沉積薄膜技術(shù)CVD
化學(xué)氣相沉積CVD是氣態(tài)反應(yīng)物在一定條件下，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)，將反應(yīng)形成的固相產(chǎn)物沉積于基片表面，形成固態(tài)薄膜的方法。
MOCVD技術(shù)介紹
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）是從早已熟知的化學(xué)氣相沉積（CVD）發(fā)展起來(lái)的一種新的表面技術(shù)。是一種利用低溫下易分解和揮發(fā)的金屬有機(jī)化合物作為源物質(zhì)進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的方法
原子層沉積ALD技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用
隨著微電子行業(yè)的發(fā)展, 集成度不斷提高、器件尺寸持續(xù)減小, 使得許多傳統(tǒng)微電子材料和科技面臨巨大挑戰(zhàn), 然而原子層沉積(ALD)技術(shù)作為一種優(yōu)異的鍍膜技術(shù)
PECVD技術(shù)培訓(xùn)
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法，是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體
MBE分子束外延技術(shù)
MBE技術(shù)是在超高真空條件下，用其組元的分子（或原子）束噴射到襯底上生長(zhǎng)外延薄層的技術(shù)?，F(xiàn)代MBE生長(zhǎng)系統(tǒng)的背景真空度可達(dá)1.33×10-10Pa，分子束與分子束以及分子束與背景分子之間不發(fā)生碰撞。
O型密封橡膠圈
O型密封橡膠圈簡(jiǎn)稱O型圈，是一種截面形狀為圓形的橡膠圈，主要用于機(jī)械部件在靜態(tài)條件下防止液體和氣體介質(zhì)泄露的密封件。
熱電偶和熱電阻
熱電偶是溫度測(cè)量?jī)x表中常用的測(cè)溫元件，它直接測(cè)量溫度，并把溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換成熱電動(dòng)勢(shì)信號(hào)，通過(guò)電氣儀表（二次儀表）轉(zhuǎn)換成被測(cè)介質(zhì)的溫度。
真空知識(shí)及漏率及檢漏培訓(xùn)
真空：什么是真空？
真空—從字面上解釋，就是一定空間內(nèi)的空氣全部抽空，然而，至今為止，沒(méi)有人能成功地做到這一點(diǎn)。根據(jù)科學(xué)試驗(yàn)得出結(jié)論，高真空也就在10-14torr范圍內(nèi)。
PVD薄膜沉積技術(shù)
1.薄膜技術(shù)
IC中的薄膜
真空測(cè)量設(shè)備選擇及常用真空計(jì)簡(jiǎn)介
從粗真空到極高真空，根據(jù)應(yīng)用特點(diǎn)的不同，每一個(gè)真空范圍會(huì)適應(yīng)一種或多種真空測(cè)量設(shè)備。
半導(dǎo)體潔凈室的空氣凈化技術(shù)綜述
潔凈室工程是半導(dǎo)體集成電路制造環(huán)節(jié)中重要的一環(huán)，直接決定了終產(chǎn)品的成敗。半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展，精度不斷提高，對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度提出了新的要求，潔凈技術(shù)開(kāi)始騰飛，也將迎來(lái)新一輪的成長(zhǎng)與爆發(fā)。
半導(dǎo)體特種氣體供應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)綱要
當(dāng)生產(chǎn)廠房?jī)?nèi)的氣體儲(chǔ)量超過(guò)規(guī)定數(shù)量時(shí)，應(yīng)設(shè)計(jì)獨(dú)立的特種氣體站。如硅烷站、三氟化氮站、氨氣站等。
氣柜部件—高純閥門及部件內(nèi)部結(jié)構(gòu)
手動(dòng)閥門
PVD和CVD無(wú)機(jī)薄膜沉積方式大全
Physical Vapor Deposition(PVD)亦稱為物理氣象沉淀技術(shù)。
真空材料表面常見(jiàn)的污染與凈化
保留于大氣中的材料表面普遍會(huì)受到污染，表面上任何一種無(wú)用的物質(zhì)或能量都是污染物。常見(jiàn)的有害污染物是塵埃、碳?xì)浠?、氯化物、硫化物和氟化物?/p>
GWP數(shù)據(jù)
GWP又稱全球增溫潛勢(shì)，是基于充分混合的室溫氣體輻射特性的一個(gè)指數(shù)，用于衡量相對(duì)于二氧化碳的，在所選定時(shí)間內(nèi)進(jìn)行積分的，當(dāng)前大氣中某個(gè)給定的充分混合的溫室氣體單位質(zhì)量的輻射強(qiáng)迫。
常用的真空單位換算、真空常用計(jì)算公式簡(jiǎn)介
在真空狀態(tài)下，氣體的稀薄程度通常用氣體的壓力值來(lái)表示，顯然，該壓力值越小則表示氣體越稀薄。真空度或氣壓有多種單位，比如 kPa, Torr，mbar 等等，這些單位之間如何換算？
鍍膜設(shè)備中常用離子源
離子源起源于冷戰(zhàn)時(shí)期的美蘇爭(zhēng)霸，理論計(jì)算表明離子源做空間推進(jìn)器能量密度大于常規(guī)液
氫推進(jìn)器。美國(guó)的研究以NASA的Kaufnan教授主持設(shè)計(jì)的帶柵網(wǎng)的
離子注入原理
離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法；是一個(gè)物理過(guò)程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
新真空測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)首次測(cè)試！
美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院 (NIST) 的研究人員發(fā)明的一種基于量子的新型真空計(jì)系統(tǒng)已經(jīng)通過(guò)了第 一次測(cè)試。此標(biāo)準(zhǔn)本質(zhì)上是準(zhǔn)確的，無(wú)需校準(zhǔn)，它的出現(xiàn)將成為真正意義上的基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)。
真空鍍膜原理圖示
濺射、蒸鍍、真空離子渡、磁控濺射等。
鍍膜的膜系結(jié)構(gòu)和性能
光學(xué)薄膜有改變電磁波的路徑的特性 光學(xué)薄膜很薄時(shí)就會(huì)產(chǎn)生干涉，當(dāng)光學(xué)薄膜很厚時(shí)就產(chǎn)生不了干涉當(dāng)我們把很薄的膜組合起來(lái)就有很多新的特性產(chǎn)生
各種真空計(jì)工作原理
真空計(jì)又稱規(guī)，是測(cè)量真空度或氣壓的儀器。一般利用不同氣壓下的某種物理效應(yīng)的變化進(jìn)行氣壓的測(cè)量。
真空設(shè)備檢漏的注意事項(xiàng)
為了保證真空設(shè)備或系統(tǒng)具有良好的密封性能，僅僅在設(shè)備安裝完畢后去尋求漏孔的位置，堵塞漏孔的通道是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。有必要在真空設(shè)備或系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造、調(diào)試、使用各個(gè)環(huán)節(jié)隨時(shí)進(jìn)行真空檢漏工作。
真空鍍膜技術(shù)的問(wèn)題與解答
在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)(或?yàn)R射），使其沉積在被涂覆的物體(稱基片、基板或基體）上的方法稱為真空鍍膜法。下面將簡(jiǎn)介真空鍍膜技術(shù)的主要問(wèn)題與解答。
真空鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)
高真空鍍膜機(jī)是目前制作真空條件應(yīng)用廣泛的設(shè)備。其相關(guān)組成各部件：機(jī)械泵、增壓泵、油擴(kuò)散泵、冷凝泵、真空測(cè)量系統(tǒng)。
原子層沉積工藝
ALD技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)
前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附，保證生成大面積均勻性的薄膜
可生成極好的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜，作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的涂層
JEOL電子槍/電源介紹
電子槍是加速電子轟擊靶屏發(fā)光的一種裝置，它發(fā)射出具有一定能量、一定束流以及速度和角度的電子束。
真空泵在制藥行業(yè)的應(yīng)用
在醫(yī)藥生產(chǎn)中，涉及到真空分離粗抽、有機(jī)溶劑低真空回收、高沸點(diǎn)熱敏材料高真空蒸餾、固體雜質(zhì)去除真空過(guò)濾、粉末中間體或產(chǎn)品真空干燥等多種真空分離工藝。
超高真空系統(tǒng)中常用到的泵
機(jī)械泵的主要作用是為渦輪分子泵的啟動(dòng)提供必要的前級(jí)真空。常用的機(jī)械泵主要包括渦旋干泵、隔膜泵和油密封機(jī)械泵。
真空設(shè)備如何選用真空泵
真空獲得設(shè)備：產(chǎn)生、改善或維持真空的裝置。包括各種獲得粗、低、中、高及超高的真空泵和真空機(jī)組。
分子泵應(yīng)用及故障處理
分子泵是利用高速旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子把動(dòng)量傳輸給氣體分子，使之獲得定向速度，從而被壓縮、被驅(qū)向排氣口后為前級(jí)抽走的一種真空泵。
鍍膜基礎(chǔ)知識(shí)
光學(xué)薄膜技術(shù)的分類：物理氣相沉積俗稱真空鍍膜，設(shè)計(jì)物理特性間的能量轉(zhuǎn)換等等?；瘜W(xué)氣相沉積主要是通過(guò)相關(guān)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)而形成滿足功能需求的致密層。
