化學(xué)氣相沉積薄膜技術(shù)
CVD——Chemical vapor deposition
CVD——Chemical vapor deposition
概 念：氣態(tài)反應(yīng)物在一定條件下，通過化學(xué)反應(yīng)，將反應(yīng)形成的固相產(chǎn)物沉積于基片表面，形成固態(tài)薄膜的方法。
基本特征：由反應(yīng)氣體通過化學(xué)反應(yīng)沉積實現(xiàn)薄膜制備！
設(shè)備的基本構(gòu)成：
主要優(yōu)勢：1）能形成多種金屬、非金屬和化合物薄膜；
2）組分易于控制，易獲得理想化學(xué)計量比，薄膜純度高；
3）成膜速度快、工效高（沉積速率 >>PVD、單爐處理批量大）；
4）沉積溫度高、薄膜致密、結(jié)晶完整、表面平滑、內(nèi)部殘余應(yīng)力低；
5）沉積繞射性好，可在復(fù)雜不規(guī)則表面（深孔、大臺階）沉積；
主要缺點：1）沉積溫度高，熱影響顯著，有時甚至具有破壞性；
2）存在基片-氣氛、設(shè)備-氣氛間反應(yīng)，影響基片及設(shè)備性能及壽命；
3）設(shè)備復(fù)雜，工藝控制難度較大。
